창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-V14D751 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ERZ-V14D751 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | ZNR® Surge Absorbers | |
카탈로그 페이지 | 2349 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 675V | |
배리스터 전압(통상) | 750V | |
배리스터 전압(최대) | 825V | |
전류 - 서지 | 5kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 460VAC | |
최대 DC 전압 | 615VDC | |
에너지 | 210J | |
패키지/케이스 | 14mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | ERZV14D751 P7270 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ERZ-V14D751 | |
관련 링크 | ERZ-V1, ERZ-V14D751 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
![]() | 3KP170A | TVS DIODE 170VWM 275VC AXIAL | 3KP170A.pdf | |
![]() | 108-153G | 15µH Unshielded Inductor 79mA 4.2 Ohm Max 2-SMD | 108-153G.pdf | |
![]() | EXB-A10P152J | RES ARRAY 8 RES 1.5K OHM 2512 | EXB-A10P152J.pdf | |
![]() | A5002-2/-5 | A5002-2/-5 HARRIS DIP8 | A5002-2/-5.pdf | |
![]() | JRC084 | JRC084 JRC SOP14 | JRC084.pdf | |
![]() | ELJFA1R0JF | ELJFA1R0JF PAS SMD or Through Hole | ELJFA1R0JF.pdf | |
![]() | ACB3216M-600-T | ACB3216M-600-T TDK SMD 1206 | ACB3216M-600-T.pdf | |
![]() | APSF2R5ELL162MH08S | APSF2R5ELL162MH08S NIPPON DIP-2 | APSF2R5ELL162MH08S.pdf | |
![]() | LY4S | LY4S STON SMD or Through Hole | LY4S.pdf | |
![]() | QT2012WL1000-LF | QT2012WL1000-LF Magic Power Technology Co Ltd SMD or Through Hole | QT2012WL1000-LF.pdf | |
![]() | am50dl128bgt015 | am50dl128bgt015 ORIGINAL SMD or Through Hole | am50dl128bgt015.pdf | |
![]() | UPD7503G-E23-12 | UPD7503G-E23-12 NEC QFP | UPD7503G-E23-12.pdf |