창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-V14D331 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ERZ-V14D331 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | ZNR® Surge Absorbers | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2349 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 297V | |
배리스터 전압(통상) | 330V | |
배리스터 전압(최대) | 363V | |
전류 - 서지 | 6kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 210VAC | |
최대 DC 전압 | 270VDC | |
에너지 | 115J | |
패키지/케이스 | 14mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | ERZV14D331 P7221 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ERZ-V14D331 | |
관련 링크 | ERZ-V1, ERZ-V14D331 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
![]() | DSC1001DI2-028.6363B | 28.6363MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) | DSC1001DI2-028.6363B.pdf | |
![]() | SRR0603-6R8ML | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 100 mOhm Max Nonstandard | SRR0603-6R8ML.pdf | |
![]() | IMC1210SY22NM | 22nH Unshielded Wirewound Inductor 592mA 200 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210SY22NM.pdf | |
![]() | MS46SR-20-1215-Q1-30X-10R-NO-F | SYSTEM | MS46SR-20-1215-Q1-30X-10R-NO-F.pdf | |
![]() | PEF55008E V1.2 | PEF55008E V1.2 INFINEON SMD or Through Hole | PEF55008E V1.2.pdf | |
![]() | DS5022P-104 | DS5022P-104 ORIGINAL SMD or Through Hole | DS5022P-104.pdf | |
![]() | MB88347PFV-G-BNDE1 | MB88347PFV-G-BNDE1 FME SMD or Through Hole | MB88347PFV-G-BNDE1.pdf | |
![]() | MUA25B473MDJ | MUA25B473MDJ KOREA SMD or Through Hole | MUA25B473MDJ.pdf | |
![]() | B41161A4227M000 | B41161A4227M000 EPCOS SMD | B41161A4227M000.pdf | |
![]() | 58740 | 58740 MAGNETICS SMD or Through Hole | 58740.pdf | |
![]() | RSF1/2BT52A 242J | RSF1/2BT52A 242J AUK NA | RSF1/2BT52A 242J.pdf | |
![]() | CI1008F-2R2-KTW | CI1008F-2R2-KTW RCD SMD | CI1008F-2R2-KTW.pdf |