창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-V10D102 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ERZ-V10D102 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | ZNR® Surge Absorbers | |
카탈로그 페이지 | 2349 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 900V | |
배리스터 전압(통상) | 1000V(1kV) | |
배리스터 전압(최대) | 1100V(1.1kV) | |
전류 - 서지 | 3.5kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 625VAC | |
최대 DC 전압 | 825VDC | |
에너지 | 140J | |
패키지/케이스 | 10mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | ERZV10D102 P7261 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ERZ-V10D102 | |
관련 링크 | ERZ-V1, ERZ-V10D102 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
![]() | GLA67F35IET | 6.7458MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GLA67F35IET.pdf | |
![]() | LQW04AN1N1C00D | 1.1nH Unshielded Inductor 990mA 30 mOhm Max Nonstandard | LQW04AN1N1C00D.pdf | |
![]() | 0805-5.6KΩ±1% | 0805-5.6KΩ±1% YAGEO SMD or Through Hole | 0805-5.6KΩ±1%.pdf | |
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![]() | M1C5201-3.0BS | M1C5201-3.0BS MICREL SMD or Through Hole | M1C5201-3.0BS.pdf | |
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![]() | SKKE81 | SKKE81 SEMIKRON SMD or Through Hole | SKKE81.pdf | |
![]() | HXA2V152Y | HXA2V152Y HIT SMD or Through Hole | HXA2V152Y.pdf | |
![]() | LCWCP7P-KPKR-5R8T-1-Z | LCWCP7P-KPKR-5R8T-1-Z OSRAM SMD. | LCWCP7P-KPKR-5R8T-1-Z.pdf | |
![]() | GZ1608U301-T | GZ1608U301-T SUNL SMD | GZ1608U301-T.pdf | |
![]() | PIC9060REV3A | PIC9060REV3A ORIGINAL QFP | PIC9060REV3A.pdf | |
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