창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-V10D102 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ERZ-V10D102 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | ZNR® Surge Absorbers | |
카탈로그 페이지 | 2349 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 900V | |
배리스터 전압(통상) | 1000V(1kV) | |
배리스터 전압(최대) | 1100V(1.1kV) | |
전류 - 서지 | 3.5kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 625VAC | |
최대 DC 전압 | 825VDC | |
에너지 | 140J | |
패키지/케이스 | 10mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | ERZV10D102 P7261 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ERZ-V10D102 | |
관련 링크 | ERZ-V1, ERZ-V10D102 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
![]() | CC0603KRX5R6BB224 | 0.22µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CC0603KRX5R6BB224.pdf | |
![]() | RMCF1206JG680K | RES SMD 680K OHM 5% 1/4W 1206 | RMCF1206JG680K.pdf | |
![]() | LPS4012-224MLB | LPS4012-224MLB COILCRIF SMD or Through Hole | LPS4012-224MLB.pdf | |
![]() | E3S-R1C42 5M | E3S-R1C42 5M OMRON SMD or Through Hole | E3S-R1C42 5M.pdf | |
![]() | RC02H1206 3216 1% 68K | RC02H1206 3216 1% 68K PHYCOMP SMD or Through Hole | RC02H1206 3216 1% 68K.pdf | |
![]() | LZ9FC24 | LZ9FC24 SHARP QFP72 | LZ9FC24.pdf | |
![]() | LT11172-2.85V | LT11172-2.85V LT SOT-223 | LT11172-2.85V.pdf | |
![]() | :1296 | :1296 ORIGINAL SMD or Through Hole | :1296.pdf | |
![]() | HPWT-DL00-F4000 | HPWT-DL00-F4000 LML ORIGINAL | HPWT-DL00-F4000.pdf | |
![]() | LT4356CDE#TRPBF/ID | LT4356CDE#TRPBF/ID LT DFN | LT4356CDE#TRPBF/ID.pdf | |
![]() | MT28F128J3BS-12 ET | MT28F128J3BS-12 ET MICRON BGA | MT28F128J3BS-12 ET.pdf | |
![]() | TNETD7300AGWD | TNETD7300AGWD ORIGINAL BGA | TNETD7300AGWD.pdf |