창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-E14A621 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZNR Series E, Type D Datasheet | |
주요제품 | ERZ-E Series ZNR® Transient/Surge Absorbers Hot New Technologies | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 558V | |
배리스터 전압(통상) | 620V | |
배리스터 전압(최대) | 682V | |
전류 - 서지 | 7.5kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 385VAC | |
최대 DC 전압 | 505VDC | |
에너지 | 382J | |
패키지/케이스 | 17.5mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | ERZE14A621 P15584 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ERZ-E14A621 | |
관련 링크 | ERZ-E1, ERZ-E14A621 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
BGU8051,118 | RF Amplifier IC GSM, LTE, W-CDMA 300MHz ~ 1.5GHz 8-HWSON (2x2) | BGU8051,118.pdf | ||
HBLS1005-6N8J | HBLS1005-6N8J HY SMD or Through Hole | HBLS1005-6N8J.pdf | ||
CC-9M-NA59-Z1 | CC-9M-NA59-Z1 MXS SMD or Through Hole | CC-9M-NA59-Z1.pdf | ||
DT-45-A03W-09 | DT-45-A03W-09 ORIGINAL SMD or Through Hole | DT-45-A03W-09.pdf | ||
XC4044XLA-08HQ240 | XC4044XLA-08HQ240 XILINX QFP | XC4044XLA-08HQ240.pdf | ||
SE031 | SE031 ORIGINAL DIP | SE031.pdf | ||
LP8345CLD-ADJ/NOPB | LP8345CLD-ADJ/NOPB NS LLP6 | LP8345CLD-ADJ/NOPB.pdf | ||
LA2120M-MPB-E | LA2120M-MPB-E SANYO SOP16 | LA2120M-MPB-E.pdf | ||
PT10112 | PT10112 ORIGINAL MODULE | PT10112.pdf | ||
PWR-01 | PWR-01 AD SMD or Through Hole | PWR-01.pdf | ||
UPD78366GF-033-3B9 | UPD78366GF-033-3B9 NEC SMD or Through Hole | UPD78366GF-033-3B9.pdf |