창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-E11A271CS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZNR Series E, Type D Datasheet | |
주요제품 | ERZ-E Series ZNR® Transient/Surge Absorbers Hot New Technologies | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 247V | |
배리스터 전압(통상) | 270V | |
배리스터 전압(최대) | 303V | |
전류 - 서지 | 6kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 175VAC | |
최대 DC 전압 | 225VDC | |
에너지 | 99J | |
패키지/케이스 | 13mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ERZE11A271CS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ERZ-E11A271CS | |
관련 링크 | ERZ-E11, ERZ-E11A271CS 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
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![]() | MCP7A-J REV:B02 | MCP7A-J REV:B02 NVIDIA PBGA | MCP7A-J REV:B02.pdf | |
![]() | NCV4276DS10R4G | NCV4276DS10R4G ON TO263 | NCV4276DS10R4G.pdf | |
![]() | AT49BV001N-90PI | AT49BV001N-90PI ATMEL DIP28 | AT49BV001N-90PI.pdf | |
![]() | HYB25D256160BT8 | HYB25D256160BT8 HYNIX SMD or Through Hole | HYB25D256160BT8.pdf | |
![]() | MC33027DR2G | MC33027DR2G ON SOP8 | MC33027DR2G.pdf | |
![]() | ECTH8601M-C-TL-H | ECTH8601M-C-TL-H ORIGINAL SMD or Through Hole | ECTH8601M-C-TL-H.pdf |