창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ERZ-E10F431 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZNR Series E, Type D Datasheet ERZ-E10 New Prod Intro | |
| 주요제품 | Hot New Technologies | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | ZNR® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 배리스터 전압 | 387V | |
| 배리스터 전압(통상) | 430V | |
| 배리스터 전압(최대) | 473V | |
| 전류 - 서지 | 4.5kA | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 275VAC | |
| 최대 DC 전압 | 350VDC | |
| 에너지 | 99J | |
| 패키지/케이스 | 11.5mm 디스크 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | ERZE10F431 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ERZ-E10F431 | |
| 관련 링크 | ERZ-E1, ERZ-E10F431 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | CGA3E2C0G1H331J080AA | 330pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2C0G1H331J080AA.pdf | |
![]() | 08055A120J4T2A | 12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 08055A120J4T2A.pdf | |
![]() | RFN20TF6S | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM | RFN20TF6S.pdf | |
![]() | TLE7720TK1 | TLE7720TK1 INFINEON TSSOP28 | TLE7720TK1.pdf | |
![]() | CC45SL3AD100JYHN | CC45SL3AD100JYHN TDK DIP | CC45SL3AD100JYHN.pdf | |
![]() | SMB8J9.0C | SMB8J9.0C VISHAY DO-214AA | SMB8J9.0C.pdf | |
![]() | RM709006 | RM709006 ORIGINAL DIP | RM709006.pdf | |
![]() | GRM1555C1H4R0BZ01D | GRM1555C1H4R0BZ01D MURATA SMD or Through Hole | GRM1555C1H4R0BZ01D.pdf | |
![]() | NC2ED-DC12V | NC2ED-DC12V NAIS SMD or Through Hole | NC2ED-DC12V.pdf | |
![]() | S20D80 | S20D80 mospec SMD or Through Hole | S20D80.pdf | |
![]() | S1613BP-125.0000T | S1613BP-125.0000T PERICOM SMD or Through Hole | S1613BP-125.0000T.pdf | |
![]() | DF37CJ-60DS-0.4V(53) | DF37CJ-60DS-0.4V(53) HRS SMD or Through Hole | DF37CJ-60DS-0.4V(53).pdf |