창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ERZ-E10B241CS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZNR Series E, Type D Datasheet ERZ-E10 New Prod Intro | |
| 주요제품 | Hot New Technologies | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | ZNR® | |
| 포장 | 벌크 | |
| 배리스터 전압 | 216V | |
| 배리스터 전압(통상) | 240V | |
| 배리스터 전압(최대) | 264V | |
| 전류 - 서지 | 4.5kA | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 150VAC | |
| 최대 DC 전압 | 200VDC | |
| 에너지 | 56J | |
| 패키지/케이스 | 11.5mm 디스크 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | ERZE10B241CS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ERZ-E10B241CS | |
| 관련 링크 | ERZ-E10, ERZ-E10B241CS 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | BSZ110N06NS3 G | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 | BSZ110N06NS3 G.pdf | |
![]() | TNPW1206210RBEEN | RES SMD 210 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206210RBEEN.pdf | |
![]() | CMF55143K00FKEA70 | RES 143K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55143K00FKEA70.pdf | |
![]() | 23BR5KTR | 23BR5KTR BI SMD or Through Hole | 23BR5KTR.pdf | |
![]() | D75304GF285 | D75304GF285 NEC QFP | D75304GF285.pdf | |
![]() | 600257SD | 600257SD SIEMENS SOP16 | 600257SD.pdf | |
![]() | 24SWR1S05-S D24-M016 | 24SWR1S05-S D24-M016 SKYNET SMD or Through Hole | 24SWR1S05-S D24-M016.pdf | |
![]() | HL9422 | HL9422 ASIC SOPDIP | HL9422.pdf | |
![]() | DS92LV1023EMQX/NOP | DS92LV1023EMQX/NOP NS SMD or Through Hole | DS92LV1023EMQX/NOP.pdf | |
![]() | TMS70C20 | TMS70C20 TEXAS DIP | TMS70C20.pdf | |
![]() | VA-B1608-180JJT | VA-B1608-180JJT CTC 0603- | VA-B1608-180JJT.pdf |