창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-E08F621 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZNR Series E, Type D Datasheet | |
주요제품 | ERZ-E Series ZNR® Transient/Surge Absorbers Hot New Technologies | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
배리스터 전압 | 558V | |
배리스터 전압(통상) | 620V | |
배리스터 전압(최대) | 682V | |
전류 - 서지 | 3.5kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 385VAC | |
최대 DC 전압 | 505VDC | |
에너지 | 92J | |
패키지/케이스 | 11.5mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | ERZE08F621 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ERZ-E08F621 | |
관련 링크 | ERZ-E0, ERZ-E08F621 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
445W32G12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 30pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32G12M00000.pdf | ||
IRG4PH50F | IRG4PH50F IR TO-247 | IRG4PH50F.pdf | ||
SIS5600A0 | SIS5600A0 SIS BGA | SIS5600A0.pdf | ||
LGM912-240/BST | LGM912-240/BST MOT DIP | LGM912-240/BST.pdf | ||
P75N02LDG REV.PZ | P75N02LDG REV.PZ ORIGINAL TO-252-3L | P75N02LDG REV.PZ.pdf | ||
CL21T080DBAANNC | CL21T080DBAANNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL21T080DBAANNC.pdf | ||
SN75454BPS A454B | SN75454BPS A454B TEXAS SMD or Through Hole | SN75454BPS A454B.pdf | ||
NTCLG100E2224JB | NTCLG100E2224JB VISHAY SMD or Through Hole | NTCLG100E2224JB.pdf | ||
SFB75AA60(75A600V) | SFB75AA60(75A600V) SANREX SMD or Through Hole | SFB75AA60(75A600V).pdf | ||
636-37PM | 636-37PM ORIGINAL SMD or Through Hole | 636-37PM.pdf | ||
MPC8362VVADDH | MPC8362VVADDH Freescale SMD or Through Hole | MPC8362VVADDH.pdf | ||
MT4C16256DJ-10 | MT4C16256DJ-10 MICRON SOJ | MT4C16256DJ-10.pdf |