창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ERZ-E05A331 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZNR Series E, Type D Datasheet | |
| 주요제품 | ERZ-E Series ZNR® Transient/Surge Absorbers Hot New Technologies | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | ZNR® | |
| 포장 | 벌크 | |
| 배리스터 전압 | 297V | |
| 배리스터 전압(통상) | 330V | |
| 배리스터 전압(최대) | 363V | |
| 전류 - 서지 | 1.2kA | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 210VAC | |
| 최대 DC 전압 | 270VDC | |
| 에너지 | 21J | |
| 패키지/케이스 | 7mm 디스크 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | ERZE05A331 P16650 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ERZ-E05A331 | |
| 관련 링크 | ERZ-E0, ERZ-E05A331 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | 105-102HS | 1µH Unshielded Inductor 360mA 730 mOhm Max 2-SMD | 105-102HS.pdf | |
![]() | RE1206DRE074K64L | RES SMD 4.64K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE074K64L.pdf | |
![]() | TLV272IDGKG4 | TLV272IDGKG4 TI MOSP | TLV272IDGKG4.pdf | |
![]() | 2SC5393 | 2SC5393 MAT TO-220F | 2SC5393.pdf | |
![]() | LTC2640CTS8-LZ12#TRPBF | LTC2640CTS8-LZ12#TRPBF LT TSOT23-8 | LTC2640CTS8-LZ12#TRPBF.pdf | |
![]() | 29bq/AZE | 29bq/AZE TI TSSOP8 | 29bq/AZE.pdf | |
![]() | NTMS4700N | NTMS4700N ON SMD or Through Hole | NTMS4700N.pdf | |
![]() | S-80850ANNP-EJE-T2 | S-80850ANNP-EJE-T2 SEIKO SMD or Through Hole | S-80850ANNP-EJE-T2.pdf | |
![]() | BA7789FP | BA7789FP ROHM SOP28 | BA7789FP.pdf | |
![]() | BTC5706I3 | BTC5706I3 ORIGINAL SMD or Through Hole | BTC5706I3.pdf | |
![]() | AR9170-AL1E | AR9170-AL1E ATHERO QFN | AR9170-AL1E.pdf |