창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ERZ-C20DK621U | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 카탈로그 페이지 | 2349 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 배리스터 전압 | - | |
| 배리스터 전압(통상) | 620V | |
| 배리스터 전압(최대) | - | |
| 전류 - 서지 | 6.5kA | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 385VAC | |
| 최대 DC 전압 | 505VDC | |
| 에너지 | - | |
| 패키지/케이스 | 20mm 디스크 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | ERZ-C20DK621 ERZC20DK621 ERZC20DK621U P7102 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ERZ-C20DK621U | |
| 관련 링크 | ERZ-C20, ERZ-C20DK621U 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | P125 | P125 IR SMD or Through Hole | P125.pdf | |
![]() | T48DV1 | T48DV1 LSI BGA | T48DV1.pdf | |
![]() | UPD82C43CY | UPD82C43CY NEC DIP24L | UPD82C43CY.pdf | |
![]() | RN05A20K0G | RN05A20K0G ORIGINAL SMD or Through Hole | RN05A20K0G.pdf | |
![]() | MP3503 | MP3503 SEP DIP-4 | MP3503.pdf | |
![]() | RTS5117-01F-GR | RTS5117-01F-GR REALTEK QFP | RTS5117-01F-GR.pdf | |
![]() | ASB-2606E | ASB-2606E HIROSUGI SMD or Through Hole | ASB-2606E.pdf | |
![]() | EA2-12S | EA2-12S NEC SMD or Through Hole | EA2-12S.pdf | |
![]() | F6674 | F6674 SK ZIP | F6674.pdf | |
![]() | CMY212 NOPB | CMY212 NOPB TRIQUINT SCT598 | CMY212 NOPB.pdf | |
![]() | GRM2165C1H471GA01D | GRM2165C1H471GA01D Murata NA | GRM2165C1H471GA01D.pdf | |
![]() | GT60N303 | GT60N303 TOSHIBA TO - 3PL | GT60N303.pdf |