창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-ERJ12YJ103 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | ERJ12YJ103 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | ERJ12YJ103 | |
관련 링크 | ERJ12Y, ERJ12YJ103 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | S750K25S3NN63L6R | 75pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 S3N 방사형, 디스크 | S750K25S3NN63L6R.pdf | |
![]() | 293D686X9004D2TE3 | 68µF Molded Tantalum Capacitors 4V 2917 (7343 Metric) 800 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 293D686X9004D2TE3.pdf | |
![]() | 416F27013AAR | 27MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27013AAR.pdf | |
![]() | NRG4026T150M | 15µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 110 mOhm Nonstandard | NRG4026T150M.pdf | |
![]() | V62C64F12L | V62C64F12L VITELIC SOP28 | V62C64F12L.pdf | |
![]() | K4X1G323PC-8GC3/8GC6 | K4X1G323PC-8GC3/8GC6 SAMSUNG BGA | K4X1G323PC-8GC3/8GC6.pdf | |
![]() | ET468 | ET468 FUJI SOT-263 | ET468.pdf | |
![]() | SML011EBT | SML011EBT ROHM SMD or Through Hole | SML011EBT.pdf | |
![]() | CB1206NPO5R1CWT | CB1206NPO5R1CWT UTC SMD | CB1206NPO5R1CWT.pdf | |
![]() | IBM42S10SNNA20 | IBM42S10SNNA20 IBM TRANS | IBM42S10SNNA20.pdf | |
![]() | MM80C95 | MM80C95 NS DIP | MM80C95.pdf | |
![]() | S4TWKH292V320CTB90 | S4TWKH292V320CTB90 S SSOP | S4TWKH292V320CTB90.pdf |