창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERJ-B2BJ4R7V | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ERJ-B2BJ4R7V View All Specifications | |
비디오 파일 | Wearable Components Solutions | |
주요제품 | Wearables Technology Components | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ERJ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 4.7 | |
허용 오차 | ±5% | |
전력(와트) | 1W | |
구성 | 후막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200, 전류 감지 | |
온도 계수 | ±200ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 넓은 1206(3216 미터법), 0612 | |
공급 장치 패키지 | 612 | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.126" W(1.60mm x 3.20mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | ERJB2BJ4R7V | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ERJ-B2BJ4R7V | |
관련 링크 | ERJ-B2B, ERJ-B2BJ4R7V 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
![]() | CDV30FK431JO3 | MICA | CDV30FK431JO3.pdf | |
![]() | 416F24013ADT | 24MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24013ADT.pdf | |
![]() | IRF9952TRPBF | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | IRF9952TRPBF.pdf | |
![]() | IPU60R1K5CEAKMA2 | MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3 | IPU60R1K5CEAKMA2.pdf | |
![]() | AMS1501CD | AMS1501CD AMS TO252-5 | AMS1501CD.pdf | |
![]() | S-80826CNMC-B8LT2G | S-80826CNMC-B8LT2G SEIKO SOT-23-5 | S-80826CNMC-B8LT2G.pdf | |
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![]() | UPA1572 | UPA1572 ORIGINAL SMD or Through Hole | UPA1572.pdf | |
![]() | 1734774-5 | 1734774-5 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 1734774-5.pdf | |
![]() | HYB18TC1G160BF-25 | HYB18TC1G160BF-25 QIMONDA BGA | HYB18TC1G160BF-25.pdf | |
![]() | K4E160811BL60 | K4E160811BL60 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4E160811BL60.pdf | |
![]() | LEMWS51Q80GZ00 | LEMWS51Q80GZ00 LGIT SMD or Through Hole | LEMWS51Q80GZ00.pdf |