창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERJ-8ENF6652V | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ERJ-8ENF6652V View All Specifications | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2237 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ERJ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 66.5k | |
허용 오차 | ±1% | |
전력(와트) | 0.25W, 1/4W | |
구성 | 후막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±100ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 1206 | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 | 0.028"(0.70mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | ERJ-8ENF6652S ERJ8ENF6652S ERJ8ENF6652V P66.5KF-ND P66.5KFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ERJ-8ENF6652V | |
관련 링크 | ERJ-8EN, ERJ-8ENF6652V 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
EMZR350ADA151MF80G | 150µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 160 mohm @ 100kHz 2000 Hrs @ 105°C | EMZR350ADA151MF80G.pdf | ||
![]() | STD20150TR | DIODE SCHOTTKY 150V DPAK | STD20150TR.pdf | |
![]() | BSC084P03NS3 G | MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 | BSC084P03NS3 G.pdf | |
![]() | IMC1210BN56NK | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 470mA 330 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210BN56NK.pdf | |
![]() | 41F125 | RES 125 OHM 1W 1% AXIAL | 41F125.pdf | |
![]() | PCT200TWRG4B-3A-140 | PCT200TWRG4B-3A-140 LEDTRONICS ROHS | PCT200TWRG4B-3A-140.pdf | |
![]() | UPD789177GB-529-8E | UPD789177GB-529-8E NEC QFP | UPD789177GB-529-8E.pdf | |
![]() | UC1901L/883B | UC1901L/883B TI DIP14 | UC1901L/883B.pdf | |
![]() | M95020-WN6TP | M95020-WN6TP ST SOP8 | M95020-WN6TP.pdf | |
![]() | NE592N14.602 | NE592N14.602 NXP/PH SMD or Through Hole | NE592N14.602.pdf | |
![]() | 5SNA3600E120100 | 5SNA3600E120100 ABB MODULE | 5SNA3600E120100.pdf | |
![]() | KA2103L | KA2103L SAMSUNG SIP-8 | KA2103L.pdf |