창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ERJ-2RKF8663X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ERJ-2RKF8663X View All Specifications | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2237 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | ERJ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 866k | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 0.1W, 1/10W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
| 온도 계수 | ±100ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 0402 | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
| 높이 | 0.016"(0.40mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | ERJ2RKF8663X P866KLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ERJ-2RKF8663X | |
| 관련 링크 | ERJ-2RK, ERJ-2RKF8663X 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | 2EZ200D10E3/TR12 | DIODE ZENER 200V 2W DO204AL | 2EZ200D10E3/TR12.pdf | |
![]() | 1N5752B | DIODE ZENER 47V 500MW DO35 | 1N5752B.pdf | |
![]() | 55036824400 | 6.8nH Unshielded Wirewound Inductor 240mA 2.8 Ohm Max | 55036824400.pdf | |
![]() | MT58LC64K32B4LG-8.5 | MT58LC64K32B4LG-8.5 ORIGINAL QFP | MT58LC64K32B4LG-8.5.pdf | |
![]() | 85S10 | 85S10 CEHCO DO-5 | 85S10.pdf | |
![]() | VJ1206Y104MXAM | VJ1206Y104MXAM VISHAY SMD or Through Hole | VJ1206Y104MXAM.pdf | |
![]() | C001-390632-A | C001-390632-A WHAYUAEONTECH SMD or Through Hole | C001-390632-A.pdf | |
![]() | 1N4727/3V/1W | 1N4727/3V/1W CHANGHAO SMD or Through Hole | 1N4727/3V/1W.pdf | |
![]() | TESVA226M1-8R | TESVA226M1-8R NEC 10V22U | TESVA226M1-8R.pdf | |
![]() | DHR0J226M8S | DHR0J226M8S NEC SMD or Through Hole | DHR0J226M8S.pdf | |
![]() | M25P10-AVMN6P/TP | M25P10-AVMN6P/TP ORIGINAL SMD or Through Hole | M25P10-AVMN6P/TP.pdf | |
![]() | MT8978AP | MT8978AP MITEL PLCC44 | MT8978AP.pdf |