창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC8009 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | eGaN® FET Brief EPC8009 Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | eGaN FETs for Multi-Megahertz Hard Switching Applications Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 65V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 500mA, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.45nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 52pF @ 32.5V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 917-1078-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC8009 | |
| 관련 링크 | EPC8, EPC8009 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
![]() | CDDFN10-0506N | TVS DIODE 5VWM SMD | CDDFN10-0506N.pdf | |
![]() | CSRF2010FT9L00 | RES SMD 0.009 OHM 1% 1W 2010 | CSRF2010FT9L00.pdf | |
![]() | PIC16C67-04I/P | PIC16C67-04I/P microchip SMD or Through Hole | PIC16C67-04I/P.pdf | |
![]() | HDSP5323 | HDSP5323 KGB SOT23 | HDSP5323.pdf | |
![]() | SM5021AAH-EL | SM5021AAH-EL NPC SOT23-6 | SM5021AAH-EL.pdf | |
![]() | 6D28-180 | 6D28-180 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6D28-180.pdf | |
![]() | LT2852CS | LT2852CS LT SOP8 | LT2852CS.pdf | |
![]() | UC2049 | UC2049 Uniden QFP-80P | UC2049.pdf | |
![]() | PM12565S-2R0-RC | PM12565S-2R0-RC BOURNS SMD | PM12565S-2R0-RC.pdf | |
![]() | HGTG30N120C3D | HGTG30N120C3D FSC TO-3P | HGTG30N120C3D.pdf | |
![]() | EFD40 | EFD40 FT BOBBINCORE | EFD40.pdf | |
![]() | T495U226K016AS | T495U226K016AS KEMET U | T495U226K016AS.pdf |