EPC EPC8008ENGR

EPC8008ENGR
제조업체 부품 번호
EPC8008ENGR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
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내부 부품 번호EIS-EPC8008ENGR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서EPC8008 Preliminary Datasheet
eGaN® FET Brief
애플리케이션 노트Assembling eGaN® FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체EPC
계열eGaN®
포장트레이
부품 현황유효
FET 유형GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.7A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs325m옴 @ 500mA, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs0.18nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds25pF @ 20V
전력 - 최대-
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스다이
공급 장치 패키지다이
표준 포장 10
다른 이름917-EPC8008ENGR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)EPC8008ENGR
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