EPC EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT
제조업체 부품 번호
EPC2108ENGRT
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
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내부 부품 번호EIS-EPC2108ENGRT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서EPC2108 Preliminary Datasheet
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체EPC
계열eGaN®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형3개 N 채널(하프브리지 + 동기식 부트스트랩)
FET 특징GaNFET(질화 갈륨)
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V, 100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.7A, 500mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs190m옴 @ 2.5A, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 200µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs0.22nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds22pF @ 30V
전력 - 최대-
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스다이
공급 장치 패키지다이
표준 포장 2,500
다른 이름917-EPC2108ENGRTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)EPC2108ENGRT
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