창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2103ENGRT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2103 Preliminary Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure | |
| 제품 교육 모듈 | eGaN® Integrated GaN Power | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | GaNFET(질화 갈륨) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 20A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 7mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.5nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7600pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | * | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | 917-1146-2 917-1146-2-ND 917-EPC2103ENGRT 917-EPC2103ENGRTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2103ENGRT | |
| 관련 링크 | EPC2103, EPC2103ENGRT 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
![]() | BC817K40WH6327XTSA1 | TRANS NPN 45V 0.5A SOT323 | BC817K40WH6327XTSA1.pdf | |
![]() | CW01030K10JE12 | RES 30.1K OHM 13W 5% AXIAL | CW01030K10JE12.pdf | |
![]() | US6220B2-131 | US6220B2-131 N/A QFP | US6220B2-131.pdf | |
![]() | TDA4557 | TDA4557 PHILIPS DIP-28 | TDA4557.pdf | |
![]() | FJNS4204RTA | FJNS4204RTA FSC SMD or Through Hole | FJNS4204RTA.pdf | |
![]() | UPC1393C2 | UPC1393C2 NEC DIP | UPC1393C2.pdf | |
![]() | SPP77N06S2 | SPP77N06S2 INFINEON TO-220 | SPP77N06S2.pdf | |
![]() | MAX3042BEWE | MAX3042BEWE MAX SOP16 | MAX3042BEWE.pdf | |
![]() | DW01_G | DW01_G ORIGINAL SMD or Through Hole | DW01_G.pdf | |
![]() | MOR2805S | MOR2805S ORIGINAL SMD or Through Hole | MOR2805S.pdf | |
![]() | HFW-1A-24SR | HFW-1A-24SR OKITA SMD or Through Hole | HFW-1A-24SR.pdf |