창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2103ENGRT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC2103 Preliminary Datasheet | |
애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure | |
제품 교육 모듈 | eGaN® Integrated GaN Power | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
FET 특징 | GaNFET(질화 갈륨) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 20A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 7mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7600pF @ 40V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | * | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | 917-1146-2 917-1146-2-ND 917-EPC2103ENGRT 917-EPC2103ENGRTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC2103ENGRT | |
관련 링크 | EPC2103, EPC2103ENGRT 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
![]() | F1778368M3FLB0 | 0.068µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | F1778368M3FLB0.pdf | |
![]() | SMAJ24CATR | TVS DIODE 24VWM 38.9VC SMA | SMAJ24CATR.pdf | |
![]() | IDCS2512ER680M | 68µH Shielded Inductor 400mA 290 mOhm Max Nonstandard | IDCS2512ER680M.pdf | |
![]() | CMF65191K00FKEA11 | RES 191K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF65191K00FKEA11.pdf | |
![]() | T9752A | T9752A TOSHIBA QFP | T9752A.pdf | |
![]() | CR1/16S1R0JV | CR1/16S1R0JV HOKURIKU 1ohmJPBFREE | CR1/16S1R0JV.pdf | |
![]() | 1625-03P1 | 1625-03P1 MOLEX SMD or Through Hole | 1625-03P1.pdf | |
![]() | ADG408BR-REEL | ADG408BR-REEL ORIGINAL SMD or Through Hole | ADG408BR-REEL.pdf | |
![]() | ENG57809G1 | ENG57809G1 ORIGINAL SMD or Through Hole | ENG57809G1.pdf | |
![]() | 0.5WMM3Z12VB | 0.5WMM3Z12VB TCKELCJTCON SOD-323 | 0.5WMM3Z12VB.pdf | |
![]() | 159278J31-30H | 159278J31-30H KAMAYA SMD or Through Hole | 159278J31-30H.pdf |