EPC EPC2100ENG
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EPC2100ENG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2100ENG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2100 Preliminary Datasheet~ EPC2106 Preliminary | |
| 애플리케이션 노트 | GaN Integration for Higher DC-DC Efficiency and Power Density | |
| 제품 교육 모듈 | eGaN® Integrated GaN Power | |
| 주요제품 | EPC2100 Transistors and EPC9036 Dev Board EPC - EPC9037/EPC9041 Development Boards | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 트레이 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | GaNFET(질화 갈륨) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.5A, 38A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 25A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.5nC @ 15V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 380pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 다른 이름 | 917-EPC2100ENG EPC2100ENGR_H1 EPC2100ENGRH1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2100ENG | |
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