창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2034ENGRT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC2034 Datasheet Preliminary~ | |
애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
주요제품 | EPC2033/EPC2034 150 V and 200 V eGaN FETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 20A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 7mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 940pF @ 100V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | 917-1142-2 917-1142-2-ND 917-EPC2034ENGRTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC2034ENGRT | |
관련 링크 | EPC2034, EPC2034ENGRT 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
EEE-TK1V470P | 47µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 300 mOhm @ 100kHz 3000 Hrs @ 125°C | EEE-TK1V470P.pdf | ||
C1825C223F5GALTU | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | C1825C223F5GALTU.pdf | ||
BAS16VY,125 | DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP | BAS16VY,125.pdf | ||
B82726S2363N40 | RING CORE DBL CHOKE 1.0MH 36A | B82726S2363N40.pdf | ||
SAD2.5-24-W | SAD2.5-24-W SUCCEED DIP-6 | SAD2.5-24-W.pdf | ||
SNACT7805-25DLR | SNACT7805-25DLR TexasInstruments SMD or Through Hole | SNACT7805-25DLR.pdf | ||
B8309A | B8309A INTEL CDIP | B8309A.pdf | ||
SKT600/18D | SKT600/18D SEMIKRON SMD or Through Hole | SKT600/18D.pdf | ||
CL21C300JBANNN | CL21C300JBANNN ORIGINAL SMD or Through Hole | CL21C300JBANNN.pdf | ||
CL01A310T1 | CL01A310T1 GENERALELECTRIC SMD or Through Hole | CL01A310T1.pdf | ||
SN72251N | SN72251N ORIGINAL SMD or Through Hole | SN72251N.pdf | ||
GF-FX5200-A2 | GF-FX5200-A2 NVIDIA BGA | GF-FX5200-A2.pdf |