창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2034ENGR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2034 Datasheet Preliminary~ | |
| 애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
| 주요제품 | EPC2033/EPC2034 150 V and 200 V eGaN FETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 트레이 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 20A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 7mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.5nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 940pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 다른 이름 | 917-EPC2034ENGR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2034ENGR | |
| 관련 링크 | EPC203, EPC2034ENGR 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
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![]() | GRM1556R1H180GZ01D | 18pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556R1H180GZ01D.pdf | |
![]() | APHB1608LCGKSURKC | Green, Red 570nm Green, 630nm Red LED Indication - Discrete 1.9V Green, 1.8V Red 0603 (1608 Metric) | APHB1608LCGKSURKC.pdf | |
![]() | AT0805DRE0734K8L | RES SMD 34.8K OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRE0734K8L.pdf | |
![]() | AD4C113-S | AD4C113-S SSO SMD or Through Hole | AD4C113-S.pdf | |
![]() | ABT652A | ABT652A TI SOP24 | ABT652A.pdf | |
![]() | FH4-3926 | FH4-3926 TOSHIBA QFP | FH4-3926.pdf | |
![]() | T16C4L | T16C4L SanRex TO-3P | T16C4L.pdf | |
![]() | W29EE01P90Z | W29EE01P90Z WINBOND PLCC | W29EE01P90Z.pdf | |
![]() | SAKC167CS32FM | SAKC167CS32FM ORIGINAL SMD or Through Hole | SAKC167CS32FM.pdf | |
![]() | E30NK90Z | E30NK90Z ST SOT-227 | E30NK90Z.pdf | |
![]() | TS1100-200EG5TP | TS1100-200EG5TP TSS SMD or Through Hole | TS1100-200EG5TP.pdf |