창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2034ENGR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC2034 Datasheet Preliminary~ | |
애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
주요제품 | EPC2033/EPC2034 150 V and 200 V eGaN FETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 20A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 7mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 940pF @ 100V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 917-EPC2034ENGR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC2034ENGR | |
관련 링크 | EPC203, EPC2034ENGR 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
BFC247021184 | 0.18µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.177" W (7.20mm x 4.50mm) | BFC247021184.pdf | ||
520L15HT20M0000 | 20MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 2mA | 520L15HT20M0000.pdf | ||
KTR10EZPF1693 | RES SMD 169K OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF1693.pdf | ||
TNPW2010154KBEEY | RES SMD 154K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010154KBEEY.pdf | ||
Y40211K00000T9W | RES SMD 1K OHM 0.01% 1/10W 0603 | Y40211K00000T9W.pdf | ||
FTR-B4SA003Z (ALT) | FTR-B4SA003Z (ALT) FUJITSU SMD or Through Hole | FTR-B4SA003Z (ALT).pdf | ||
A11-B0-34-630-131-E | A11-B0-34-630-131-E CarlingTechnologies 30A 1 POLE .250 QC F | A11-B0-34-630-131-E.pdf | ||
P87C51RD4B | P87C51RD4B LE QFP-44 | P87C51RD4B.pdf | ||
S25FL010A0LMFI011 | S25FL010A0LMFI011 SPANSION SOP8 150MIL | S25FL010A0LMFI011.pdf | ||
MG2450-B72 | MG2450-B72 ORIGINAL VFBGA72 | MG2450-B72.pdf | ||
F871DM334J330C | F871DM334J330C KEMET SMD or Through Hole | F871DM334J330C.pdf |