창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2033ENGRT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC2033 Datasheet Preliminary~ | |
애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
주요제품 | EPC2033/EPC2034 150 V and 200 V eGaN FETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 25A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 9mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1140pF @ 75V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | 917-1141-2 917-1141-2-ND 917-EPC2033ENGRTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC2033ENGRT | |
관련 링크 | EPC2033, EPC2033ENGRT 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
![]() | VJ1210A150JBGAT4X | 15pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A150JBGAT4X.pdf | |
![]() | B32672L1333K | 0.033µF Film Capacitor 600V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.354" W (18.00mm x 9.00mm) | B32672L1333K.pdf | |
![]() | SMBJ4748E3/TR13 | DIODE ZENER 22V 2W SMBJ | SMBJ4748E3/TR13.pdf | |
![]() | 59135-1-S-03-E | Magnetic Reed Switch Magnet SPST-NO Wire Leads with Connector Probe | 59135-1-S-03-E.pdf | |
![]() | M3101 C1 | M3101 C1 ALI QFP | M3101 C1.pdf | |
![]() | 313934839 | 313934839 TYCO SMD or Through Hole | 313934839.pdf | |
![]() | DF36012GFPW | DF36012GFPW RENESAS LQFP64 | DF36012GFPW.pdf | |
![]() | MOC223R1-M | MOC223R1-M QTC SOP8 | MOC223R1-M.pdf | |
![]() | FL10ME | FL10ME FUJITSU SMD or Through Hole | FL10ME.pdf | |
![]() | M36W864B70ZA6 | M36W864B70ZA6 ST BGA | M36W864B70ZA6.pdf | |
![]() | NCP303LSN20 | NCP303LSN20 ON SOT-153 | NCP303LSN20.pdf |