창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2033ENGR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC2033 Datasheet Preliminary~ | |
애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
주요제품 | EPC2033/EPC2034 150 V and 200 V eGaN FETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 25A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 9mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1140pF @ 75V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 917-EPC2033ENGR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC2033ENGR | |
관련 링크 | EPC203, EPC2033ENGR 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
SIT8008AI-71-33S-12.288000E | OSC XO 3.3V 12.288MHZ ST | SIT8008AI-71-33S-12.288000E.pdf | ||
FXO-HC735-53.125 | 53.125MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC735-53.125.pdf | ||
SIT1602AIR7-25S | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 4.2mA Standby | SIT1602AIR7-25S.pdf | ||
BZX384C4V3-G3-18 | DIODE ZENER 4.3V 200MW SOD323 | BZX384C4V3-G3-18.pdf | ||
IRFRARED LED IR383-A | IRFRARED LED IR383-A ERL DIP | IRFRARED LED IR383-A.pdf | ||
IRS2113-1 | IRS2113-1 IR DIP-13 | IRS2113-1.pdf | ||
R60PI3100AA30J | R60PI3100AA30J Kemet SMD or Through Hole | R60PI3100AA30J.pdf | ||
PXV1220S-1DB-N1 | PXV1220S-1DB-N1 YDS SMD | PXV1220S-1DB-N1.pdf | ||
ZVN2110AST | ZVN2110AST ZETEX TO92 | ZVN2110AST.pdf | ||
AV2803-G | AV2803-G AVS QFP | AV2803-G.pdf | ||
R1160D121B-TR-F | R1160D121B-TR-F RICOH SMD or Through Hole | R1160D121B-TR-F.pdf | ||
CS42528-CGZ | CS42528-CGZ CS QFP | CS42528-CGZ.pdf |