창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2032 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2032 Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
| 주요제품 | EPC2030/31/32 eGaN FET | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 48A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 30A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 11mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1530pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | 917-1126-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2032 | |
| 관련 링크 | EPC2, EPC2032 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
![]() | FVXO-HC73B-54.054 | 54.054MHz HCMOS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FVXO-HC73B-54.054.pdf | |
![]() | MB8264-10 | MB8264-10 FUJ DIP | MB8264-10.pdf | |
![]() | AN5195C | AN5195C MAT DIP | AN5195C.pdf | |
![]() | 52435-2871 | 52435-2871 molex SMD or Through Hole | 52435-2871.pdf | |
![]() | M28W640FS-T70ZR6E | M28W640FS-T70ZR6E ST SMD or Through Hole | M28W640FS-T70ZR6E.pdf | |
![]() | B41858D4338M000 | B41858D4338M000 EPCOS DIP | B41858D4338M000.pdf | |
![]() | TDA4853/V2 | TDA4853/V2 PHI DIP | TDA4853/V2.pdf | |
![]() | HA16PRK-4S | HA16PRK-4S HIROSE SMD or Through Hole | HA16PRK-4S.pdf | |
![]() | SS-3GL13P | SS-3GL13P OMRON/WSI SMD or Through Hole | SS-3GL13P.pdf | |
![]() | NRSD-24VDC | NRSD-24VDC MATSUSHITA DIP | NRSD-24VDC.pdf | |
![]() | M35071-064FP | M35071-064FP O SOP | M35071-064FP.pdf | |
![]() | 42.500M | 42.500M TK SMD or Through Hole | 42.500M.pdf |