창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2021ENG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC2021 Datasheet Preliminary | |
애플리케이션 노트 | Fourth Generation eGaN® FETs Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
제품 교육 모듈 | eGaN-based Eighth Brick Converter | |
주요제품 | Gen 4 eGaN FETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 29A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 14mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1700pF @ 40V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 917-EPC2021ENG EPC2021ENGRB3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC2021ENG | |
관련 링크 | EPC202, EPC2021ENG 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
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![]() | C2012X7R2A102M085AA | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X7R2A102M085AA.pdf | |
![]() | 7M54070004 | 54MHz ±13ppm 수정 19pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M54070004.pdf | |
![]() | MRF6V2300NR5 | FET RF 110V 220MHZ TO-270-4 | MRF6V2300NR5.pdf | |
![]() | ROX1SJ4R7 | RES 4.70 OHM 1W 5% AXIAL | ROX1SJ4R7.pdf | |
![]() | VI375A28C600A | VI375A28C600A VICOR SMD or Through Hole | VI375A28C600A.pdf | |
![]() | TLP180 (V4-GB-TPL) | TLP180 (V4-GB-TPL) TOSHIBA SOP | TLP180 (V4-GB-TPL).pdf | |
![]() | NCP1400ASN50T1G | NCP1400ASN50T1G ON SOT-25 | NCP1400ASN50T1G.pdf | |
![]() | PB6157L-1-101 | PB6157L-1-101 ORIGINAL SMD or Through Hole | PB6157L-1-101.pdf | |
![]() | ATF1508-10QC100 | ATF1508-10QC100 ATMEL QFP | ATF1508-10QC100.pdf | |
![]() | TC4S81F / C2 | TC4S81F / C2 TOSHIBA SOT-153 | TC4S81F / C2.pdf | |
![]() | BU9312ARS | BU9312ARS ORIGINAL SMD or Through Hole | BU9312ARS.pdf |