창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2020 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2020 Datasheet Preliminary | |
| 애플리케이션 노트 | Fourth Generation eGaN® FETs Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2m옴 @ 31A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 16mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1780pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | 917-1105-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2020 | |
| 관련 링크 | EPC2, EPC2020 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
![]() | 1.5SMC180AHE3/57T | TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AB | 1.5SMC180AHE3/57T.pdf | |
![]() | XP162A12A6PR-G | MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT89 | XP162A12A6PR-G.pdf | |
![]() | RC-5 | 915µH Unshielded Wirewound Inductor 625mA 1 Ohm Radial | RC-5.pdf | |
![]() | TNPW06032K32BEEN | RES SMD 2.32KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06032K32BEEN.pdf | |
![]() | B41303J8158M000 | B41303J8158M000 EPCOS DIP | B41303J8158M000.pdf | |
![]() | PT7M6131CHT3 | PT7M6131CHT3 PTI SOT-23 | PT7M6131CHT3.pdf | |
![]() | MVR32HXBRN334 | MVR32HXBRN334 Rohm SMD or Through Hole | MVR32HXBRN334.pdf | |
![]() | LM3671MF-12 | LM3671MF-12 ORIGINAL SMD or Through Hole | LM3671MF-12.pdf | |
![]() | AAT3104IJ-2-T | AAT3104IJ-2-T AATI SMD or Through Hole | AAT3104IJ-2-T.pdf | |
![]() | MB620529 | MB620529 FUJ QFP | MB620529.pdf | |
![]() | YC-05454 | YC-05454 ORIGINAL SMD or Through Hole | YC-05454.pdf | |
![]() | RC0402FR-072K7 | RC0402FR-072K7 YAGEO SMD or Through Hole | RC0402FR-072K7.pdf |