창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2019ENG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2019 Datasheet | |
| 주요제품 | Gen 4 eGaN FETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 7A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.5nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | 917-1055-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2019ENG | |
| 관련 링크 | EPC201, EPC2019ENG 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
![]() | 0402YA390JAT2A | 39pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 0402YA390JAT2A.pdf | |
![]() | 416F27125ALT | 27.12MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27125ALT.pdf | |
![]() | MCR18EZPF6981 | RES SMD 6.98K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZPF6981.pdf | |
![]() | LM13 LM1.3A | LM13 LM1.3A DAITO SMD or Through Hole | LM13 LM1.3A.pdf | |
![]() | HK21258NJ-T | HK21258NJ-T TAIYO SMD0805 | HK21258NJ-T.pdf | |
![]() | UDZ12B-7-01 | UDZ12B-7-01 Diodes SMD or Through Hole | UDZ12B-7-01.pdf | |
![]() | 40974 | 40974 MINI SMD or Through Hole | 40974.pdf | |
![]() | C500-CE404 | C500-CE404 OMRON SMD or Through Hole | C500-CE404.pdf | |
![]() | GL3JV804B0SE | GL3JV804B0SE SHARP ROHS | GL3JV804B0SE.pdf | |
![]() | 74V1G14STR TEL:827 | 74V1G14STR TEL:827 ST SOT153 | 74V1G14STR TEL:827.pdf | |
![]() | BYT08P0600AB | BYT08P0600AB TFK SMD or Through Hole | BYT08P0600AB.pdf | |
![]() | WRM0204C-2K2DI | WRM0204C-2K2DI WYN SMD or Through Hole | WRM0204C-2K2DI.pdf |