창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2019 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2019 Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
| 주요제품 | EPC9052/53/54 Development Boards | |
| PCN 설계/사양 | Mfg Process Update 29/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 7A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.5nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 917-1087-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2019 | |
| 관련 링크 | EPC2, EPC2019 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
![]() | MAL211925101E3 | 100µF 16V Aluminum Capacitors Axial, Can 2.1 Ohm @ 100Hz 4000 Hrs @ 125°C | MAL211925101E3.pdf | |
![]() | ND421225 | SCR MOD ISO DUAL 1200V 250A | ND421225.pdf | |
![]() | HF1008-082K | 8.2nH Unshielded Inductor 1.275A 75 mOhm Max Nonstandard | HF1008-082K.pdf | |
![]() | AF122-FR-073K09L | RES ARRAY 2 RES 3.09K OHM 0404 | AF122-FR-073K09L.pdf | |
![]() | KDS200 | KDS200 KEC TO-92S | KDS200.pdf | |
![]() | MGF7136P-42 | MGF7136P-42 MITSUBISHI SOP28 | MGF7136P-42.pdf | |
![]() | NCS6433DR2G | NCS6433DR2G ON SOP-16 | NCS6433DR2G.pdf | |
![]() | SR1646ABA2P | SR1646ABA2P TI QFP | SR1646ABA2P.pdf | |
![]() | FCC-25M | FCC-25M ORIGINAL SMD or Through Hole | FCC-25M.pdf | |
![]() | AM29LV641DL | AM29LV641DL AMD NA | AM29LV641DL.pdf | |
![]() | Q62703-Q1547 | Q62703-Q1547 OSRAM SMD or Through Hole | Q62703-Q1547.pdf |