창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EPC2019 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EPC2019 Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
| 주요제품 | EPC9052/53/54 Development Boards | |
| PCN 설계/사양 | Mfg Process Update 29/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | EPC | |
| 계열 | eGaN® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 7A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.5nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 다이 | |
| 공급 장치 패키지 | 다이 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 917-1087-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EPC2019 | |
| 관련 링크 | EPC2, EPC2019 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0336R1E4R6CD01D | 4.6pF 25V 세라믹 커패시터 R2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336R1E4R6CD01D.pdf | |
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![]() | PEI 2A822 K | PEI 2A822 K HBC/KAY/ SMD or Through Hole | PEI 2A822 K.pdf | |
![]() | 351-8697-002 | 351-8697-002 ITT N A | 351-8697-002.pdf | |
![]() | TDZ30J | TDZ30J NXP SMD or Through Hole | TDZ30J.pdf | |
![]() | GMR20H200CTBF3T | GMR20H200CTBF3T GMAMA TO-220FPAB | GMR20H200CTBF3T.pdf | |
![]() | 16F628A-I/ML | 16F628A-I/ML MICROCHI QFN | 16F628A-I/ML.pdf |