EPC EPC2012C

EPC2012C
제조업체 부품 번호
EPC2012C
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
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내부 부품 번호EIS-EPC2012C
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서EPC2012C Datasheet
애플리케이션 노트Second Generation eGaN® FETs
Assembling eGaN® FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
Using eGaN® FETs
주요제품EPC Low Voltage eGaN® FETs
EPC9052/53/54 Development Boards
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체EPC
계열eGaN®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs100m옴 @ 3A, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs1.3nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds140pF @ 100V
전력 - 최대-
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스다이
공급 장치 패키지다이 아웃라인(4-솔더 바)
표준 포장 1,000
다른 이름917-1084-2
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)EPC2012C
관련 링크EPC2, EPC2012C 데이터 시트, EPC 에이전트 유통
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