창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EPC2010C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EPC2010C Datasheet | |
애플리케이션 노트 | Second Generation eGaN® FETs Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs | |
주요제품 | EPC Low Voltage eGaN® FETs EPC9052/53/54 Development Boards | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | GaNFET N-Chan, 갈륨 질화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 12A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 3mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.3nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 100V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 다이 | |
공급 장치 패키지 | 다이 아웃라인(7-솔더 바) | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | 917-1085-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EPC2010C | |
관련 링크 | EPC2, EPC2010C 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
![]() | 12063A820FAT2A | 82pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12063A820FAT2A.pdf | |
![]() | MBB02070C3741FC100 | RES 3.74K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C3741FC100.pdf | |
![]() | HK115FD-DC24V-SHG(8P/8A) | HK115FD-DC24V-SHG(8P/8A) HUIKE SMD or Through Hole | HK115FD-DC24V-SHG(8P/8A).pdf | |
![]() | MLV1005N180X | MLV1005N180X chilisincom/pdf/MLVSeriespdf SMD or Through Hole | MLV1005N180X.pdf | |
![]() | MTN6680Q8 | MTN6680Q8 CYS SO-8 | MTN6680Q8.pdf | |
![]() | LT66057 | LT66057 LT QFN | LT66057.pdf | |
![]() | J1215N-1W | J1215N-1W MORNSUN DIP | J1215N-1W.pdf | |
![]() | CE0411G95DCB501RAB | CE0411G95DCB501RAB MURATA SMD or Through Hole | CE0411G95DCB501RAB.pdf | |
![]() | ST2440TSL/10 | ST2440TSL/10 ORIGINAL QFP64 | ST2440TSL/10.pdf | |
![]() | C09131H0122012 | C09131H0122012 AMPHENOL SMD or Through Hole | C09131H0122012.pdf | |
![]() | 550109A2 | 550109A2 MAGNETICS SMD or Through Hole | 550109A2.pdf |