창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EP4CE75F23C8N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | EP4CE75F23C8N | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | EP4CE75F23C8N | |
| 관련 링크 | EP4CE75, EP4CE75F23C8N 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D111MLXAT | 110pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D111MLXAT.pdf | |
![]() | SSQ 630/5K | FUSE BOARD MNT 630MA 125VAC/VDC | SSQ 630/5K.pdf | |
![]() | 9C-5.0688MAAE-T | 5.0688MHz ±30ppm 수정 12pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | 9C-5.0688MAAE-T.pdf | |
![]() | TP0610T-G | MOSFET P-CH 60V 0.12A SOT23-3 | TP0610T-G.pdf | |
![]() | NLV25T-2R7J-EF | 2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 195mA 1.7 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | NLV25T-2R7J-EF.pdf | |
![]() | HC2E-H-AC48V-F | HC RELAY 2 FORM C 48VAC | HC2E-H-AC48V-F.pdf | |
![]() | SSSB168 | SSSB168 ORIGINAL SSOP44 | SSSB168.pdf | |
![]() | PAM3101DAB310 | PAM3101DAB310 PAM SMD or Through Hole | PAM3101DAB310.pdf | |
![]() | R871009 | R871009 ST CDIP | R871009.pdf | |
![]() | NE592D8R2 | NE592D8R2 ON SOP | NE592D8R2.pdf | |
![]() | 35572-0602 | 35572-0602 MOLEX SMD or Through Hole | 35572-0602.pdf | |
![]() | LT3009EDC-5#TRMPBF | LT3009EDC-5#TRMPBF LINEARTECHNOLOGY 6-DFN | LT3009EDC-5#TRMPBF.pdf |