창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EP1SGX10DF672C5ES | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | EP1SGX10DF672C5ES | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | EP1SGX10DF672C5ES | |
| 관련 링크 | EP1SGX10DF, EP1SGX10DF672C5ES 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D120MXAAJ | 12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D120MXAAJ.pdf | |
![]() | MKP383247063JD02G0 | 4700pF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP383247063JD02G0.pdf | |
![]() | 416F270XXCDT | 27MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F270XXCDT.pdf | |
![]() | B82462G4102M | 1µH Shielded Wirewound Inductor 3.4A 16 mOhm Max Nonstandard | B82462G4102M.pdf | |
![]() | RTO020F10002JTE3 | RES 100K OHM 20W 5% TO220 | RTO020F10002JTE3.pdf | |
![]() | NJM27881F25(TE1) | NJM27881F25(TE1) JRC SMD or Through Hole | NJM27881F25(TE1).pdf | |
![]() | FQI8N60C | FQI8N60C FAIRCHILD SMD or Through Hole | FQI8N60C.pdf | |
![]() | K7A803609B-QI20T00 | K7A803609B-QI20T00 SAMSUNG QFP100 | K7A803609B-QI20T00.pdf | |
![]() | XC95144XL-10CS | XC95144XL-10CS XILINX BGA | XC95144XL-10CS.pdf | |
![]() | CM2596GZJN263TR | CM2596GZJN263TR CEM SOT-263 | CM2596GZJN263TR.pdf | |
![]() | LT1009IS#TR | LT1009IS#TR LT SOP8 | LT1009IS#TR.pdf | |
![]() | TVP5147DFD | TVP5147DFD TI SMD or Through Hole | TVP5147DFD.pdf |