창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EMZ6.8ET2R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EMZ6.8E | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 구성 | 공통 양극 2쌍 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | - | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 3.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-553 | |
| 공급 장치 패키지 | EMD5 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | EMZ6.8ET2R-ND EMZ6.8ET2RTR EMZ68ET2R | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EMZ6.8ET2R | |
| 관련 링크 | EMZ6.8, EMZ6.8ET2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 1206YC102KAT2A | 1000pF 16V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206YC102KAT2A.pdf | |
![]() | PTFB093608FVV2R250XTMA1 | IC AMP RF LDMOS | PTFB093608FVV2R250XTMA1.pdf | |
![]() | RCP2512W16R0GEB | RES SMD 16 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W16R0GEB.pdf | |
![]() | FS12RM-18,FS20RM-18,FS10RM-18 | FS12RM-18,FS20RM-18,FS10RM-18 MITSUBISHI SMD or Through Hole | FS12RM-18,FS20RM-18,FS10RM-18.pdf | |
![]() | TLV431IDBZT | TLV431IDBZT TI SOT23-3 | TLV431IDBZT.pdf | |
![]() | LX8585(00CDD.15CDD.33CDD) | LX8585(00CDD.15CDD.33CDD) LINFINITY DIP(TO220) | LX8585(00CDD.15CDD.33CDD).pdf | |
![]() | S80C31F | S80C31F OKI QFP | S80C31F.pdf | |
![]() | RCT25R25JTE | RCT25R25JTE ORIGINAL SMD or Through Hole | RCT25R25JTE.pdf | |
![]() | NRBX680M200V16x20F | NRBX680M200V16x20F NIC DIP | NRBX680M200V16x20F.pdf | |
![]() | EVAL-ADF4106EB1 | EVAL-ADF4106EB1 ADI SMD or Through Hole | EVAL-ADF4106EB1.pdf | |
![]() | UPD750008GB-530-3B4 | UPD750008GB-530-3B4 NEC QFP | UPD750008GB-530-3B4.pdf |