홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » EMH6T2R

Rohm Semiconductor EMH6T2R

EMH6T2R
제조업체 부품 번호
EMH6T2R
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
데이터 시트 다운로드
다운로드
EMH6T2R 가격 및 조달

가능 수량

16550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 88.03080
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 EMH6T2R 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. EMH6T2R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. EMH6T2R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
EMH6T2R 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
EMH6T2R 매개 변수
내부 부품 번호EIS-EMH6T2R
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서EMH6, UMH6N, IMH6A
카탈로그 페이지 1637 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
트랜지스터 유형2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)47k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대150mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지EMT6
표준 포장 8,000
다른 이름EMH6T2R-ND
EMH6T2RTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)EMH6T2R
관련 링크EMH6, EMH6T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
EMH6T2R 의 관련 제품
100MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable ASTMUPCE-33-100.000MHZ-EJ-E-T3.pdf
THERMOSTAT 115 DEG NO TO-220 67F115-0301.pdf
BA5218 ROHM SMD or Through Hole BA5218.pdf
MX27C4000 12 MACRONIX SMD or Through Hole MX27C4000 12.pdf
19004-0001 MOLEX SMD or Through Hole 19004-0001.pdf
CG7521AFT Cypress NA CG7521AFT.pdf
HS9024C MAGCOM SOP HS9024C.pdf
:H2-L4-0-350 OSRAM SMD or Through Hole :H2-L4-0-350.pdf
AT49BV4096A ATEML TSOP-48 AT49BV4096A.pdf
CY7C199-35WMB CYPRESS DIP28 CY7C199-35WMB.pdf
SN-902 SEENOW SMD or Through Hole SN-902.pdf
SIT8103AI-12-33E-10.00000T SITIME SMD or Through Hole SIT8103AI-12-33E-10.00000T.pdf