홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » EMH4T2R

Rohm Semiconductor EMH4T2R

EMH4T2R
제조업체 부품 번호
EMH4T2R
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
데이터 시트 다운로드
다운로드
EMH4T2R 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 119.72188
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 EMH4T2R 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. EMH4T2R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. EMH4T2R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
EMH4T2R 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
EMH4T2R 매개 변수
내부 부품 번호EIS-EMH4T2R
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서EMH4, UMH4N, IMH4A
카탈로그 페이지 1637 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대150mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지EMT6
표준 포장 8,000
다른 이름EMH4T2R-ND
EMH4T2RTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)EMH4T2R
관련 링크EMH4, EMH4T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
EMH4T2R 의 관련 제품
0.22µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) C1608X5R1E224K080AA.pdf
RES SMD 5.9K OHM 0.1% 1/10W 0603 RT0603BRE075K9L.pdf
RES SMD 140 OHM 0.1% 1/4W 1206 MCA12060D1400BP500.pdf
M1-7643A ORIGINAL DIP M1-7643A.pdf
03066C154KAT2A AVX SMD 03066C154KAT2A.pdf
SSTPAD1000-T1 SILICONIX SOT23 SSTPAD1000-T1.pdf
22R1A120 IR to-48 22R1A120.pdf
DI-6600/883 HARRAS CDIP DI-6600/883.pdf
TK15405MTB-G TOKO SOT23-6 TK15405MTB-G.pdf
M74HC154FP MITSUBIS SOP24 M74HC154FP.pdf
DS2E-SL2-DC1.5 NAIS RELAY DS2E-SL2-DC1.5.pdf
16SEV10MALR4X5.5 RUBYCON SMD or Through Hole 16SEV10MALR4X5.5.pdf