창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EMH3T2R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EMH3, UMH3N, IMH3A | |
카탈로그 페이지 | 1637 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
전력 - 최대 | 150mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | EMT6 | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | EMH3T2R-ND EMH3T2RTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EMH3T2R | |
관련 링크 | EMH3, EMH3T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | DE2S04700L | TVS DIODE 1VWM SOD523 | DE2S04700L.pdf | |
![]() | SIT5001AC-3E-33N0-37.500000Y | OSC XO 3.3V 37.5MHZ NC | SIT5001AC-3E-33N0-37.500000Y.pdf | |
![]() | BZT52C18-13 | DIODE ZENER 18V 500MW SOD123 | BZT52C18-13.pdf | |
![]() | ESR25JZPF2404 | RES SMD 2.4M OHM 1% 1/2W 1210 | ESR25JZPF2404.pdf | |
![]() | MT47H64M16HR3H | MT47H64M16HR3H MICR SMD or Through Hole | MT47H64M16HR3H.pdf | |
![]() | 30TPS16PBF | 30TPS16PBF IR TO247 | 30TPS16PBF.pdf | |
![]() | HMM158FDE2X71E420- | HMM158FDE2X71E420- IEH SMD or Through Hole | HMM158FDE2X71E420-.pdf | |
![]() | HZ33-2TA | HZ33-2TA RENESAS DO35 | HZ33-2TA.pdf | |
![]() | K4S280832E-TL1H | K4S280832E-TL1H SAMSUNG TSOP54 | K4S280832E-TL1H.pdf | |
![]() | DS75182J | DS75182J TI DIP | DS75182J.pdf | |
![]() | UPG170 | UPG170 NEC SMD or Through Hole | UPG170.pdf |