홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » EMG9T2R

Rohm Semiconductor EMG9T2R

EMG9T2R
제조업체 부품 번호
EMG9T2R
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
데이터 시트 다운로드
다운로드
EMG9T2R 가격 및 조달

가능 수량

24550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 109.15819
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 EMG9T2R 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. EMG9T2R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. EMG9T2R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
EMG9T2R 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
EMG9T2R 매개 변수
내부 부품 번호EIS-EMG9T2R
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서EMG9, UMG9N, FMG9A
카탈로그 페이지 1637 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
트랜지스터 유형2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대150mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-SMD(5리드), 평면 리드
공급 장치 패키지EMT5
표준 포장 8,000
다른 이름EMG9T2RTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)EMG9T2R
관련 링크EMG9, EMG9T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
EMG9T2R 의 관련 제품
1800pF 100V 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) D182Z20Z5UH6UJ5R.pdf
RES NTWRK 2 RES MULT OHM RADIAL Y0076V0058BA9L.pdf
C200R NEC SOP C200R.pdf
AT93C56-10PU2.7 ATMEL DIP-8 AT93C56-10PU2.7.pdf
MX29L160BBTC-90 MX TSOP MX29L160BBTC-90.pdf
64AT23-1A Honeywell SMD or Through Hole 64AT23-1A.pdf
AD5162BRMZ100RL7 ad SMD or Through Hole AD5162BRMZ100RL7.pdf
IRFIS4013 IR/A SMD or Through Hole IRFIS4013.pdf
160XO-B2 TI QFP 160XO-B2.pdf
B58173 TI SOP-8 B58173.pdf
AT91SAM7S256-AU-001-XINMIN ATMEL SOP QFN AT91SAM7S256-AU-001-XINMIN.pdf
SLA6027 SANKEN SMD or Through Hole SLA6027.pdf