홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » EMG4T2R

Rohm Semiconductor EMG4T2R

EMG4T2R
제조업체 부품 번호
EMG4T2R
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
데이터 시트 다운로드
다운로드
EMG4T2R 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 119.72188
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 EMG4T2R 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. EMG4T2R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. EMG4T2R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
EMG4T2R 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
EMG4T2R 매개 변수
내부 부품 번호EIS-EMG4T2R
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서EMG4, UMG4N, FMG4A
카탈로그 페이지 1637 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
트랜지스터 유형2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)-
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대150mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-SMD(5리드), 평면 리드
공급 장치 패키지EMT5
표준 포장 8,000
다른 이름EMG4T2RTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)EMG4T2R
관련 링크EMG4, EMG4T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
EMG4T2R 의 관련 제품
100pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) SR151A101JAATR1.pdf
RES SMD 1.13K OHM 0.1% 5/8W 0805 PHP00805E1131BBT1.pdf
Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Vented Gauge Male - M12 x 1.5 4 mA ~ 20 mA Cylinder P51-75-G-H-MD-20MA-000-000.pdf
8050 J3Y CJ SOT-23 8050 J3Y.pdf
CP82C37A HARRIS DIP-40 CP82C37A.pdf
1S2463 RONM DO-35 1S2463.pdf
BTA80 ORIGINAL TO-229 BTA80.pdf
FE2CU200X300 ORIGINAL SMD or Through Hole FE2CU200X300.pdf
HX8811-H030FCG HIMAX QFP HX8811-H030FCG.pdf
IRF5340TR IOR SMD or Through Hole IRF5340TR.pdf
ES52178SS JIC TSOP ES52178SS.pdf
UPD78P058FGC8BT NEC QFP80 UPD78P058FGC8BT.pdf