홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » EMG11T2R

Rohm Semiconductor EMG11T2R

EMG11T2R
제조업체 부품 번호
EMG11T2R
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
데이터 시트 다운로드
다운로드
EMG11T2R 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 83.39760
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 EMG11T2R 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. EMG11T2R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. EMG11T2R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
EMG11T2R 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
EMG11T2R 매개 변수
내부 부품 번호EIS-EMG11T2R
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서EMG11, UMG11N
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
트랜지스터 유형2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대150mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-SMD(5리드), 평면 리드
공급 장치 패키지EMT5
표준 포장 8,000
다른 이름EMG11T2RTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)EMG11T2R
관련 링크EMG1, EMG11T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
EMG11T2R 의 관련 제품
RES SMD 1K OHM 2% 11W 1206 RCP1206W1K00GS2.pdf
RES 536K OHM 0.4W 1% AXIAL SFR2500005363FR500.pdf
LTC1952I1 LT SSOP16 LTC1952I1.pdf
TLP721-4GR TOSHIBA DIP SOP-16 TLP721-4GR.pdf
477-2428-1 XICOR CDIP8 477-2428-1.pdf
TNETC4600ZDW/GDW TI BGA TNETC4600ZDW/GDW.pdf
9160243001 HARTING SMD or Through Hole 9160243001.pdf
MAX6309UK50D4+T MAXIM SMD or Through Hole MAX6309UK50D4+T.pdf
1008CS-150-XKBC COILCRAFT SMD or Through Hole 1008CS-150-XKBC.pdf
LL1E108M16025 samwha DIP-2 LL1E108M16025.pdf
DSX321G/32MHz/1C332000AA0A/SX0032M013X KDS 3.2 2.5MM DSX321G/32MHz/1C332000AA0A/SX0032M013X.pdf
QB2D108M30050 SAMW DIP2 QB2D108M30050.pdf