창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EMF8T2R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EMF8 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN 사전 바이어싱, 1 NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA, 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V, 12V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz, 320MHz | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | EMT6 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EMF8T2R | |
| 관련 링크 | EMF8, EMF8T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RC0215E0JT | RC0215E0JT LIKET SMD or Through Hole | RC0215E0JT.pdf | |
![]() | PCF8591TN2 | PCF8591TN2 N/A NA | PCF8591TN2.pdf | |
![]() | SXA093330033K5%AB | SXA093330033K5%AB VISHAYDRALORIC ORIGINAL | SXA093330033K5%AB.pdf | |
![]() | LDC30B190J0950C-302 | LDC30B190J0950C-302 MURATA SMD or Through Hole | LDC30B190J0950C-302.pdf | |
![]() | MCM14552CP | MCM14552CP MOT DIP24 | MCM14552CP.pdf | |
![]() | VJ2220Y823KXEA | VJ2220Y823KXEA VISHAY SMD or Through Hole | VJ2220Y823KXEA.pdf | |
![]() | S1L50282F26E000 | S1L50282F26E000 EPSON SMD or Through Hole | S1L50282F26E000.pdf | |
![]() | NJU2175L | NJU2175L JRC 56PIN-PDIP | NJU2175L.pdf | |
![]() | K4S283232E-TC1L | K4S283232E-TC1L SAMSUNG TSOP | K4S283232E-TC1L.pdf | |
![]() | X4062SVAL | X4062SVAL INTERSIL TSSOP | X4062SVAL.pdf | |
![]() | 2SA2400-GR | 2SA2400-GR KEC TO-92 | 2SA2400-GR.pdf |