창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EMF8T2R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EMF8 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN 사전 바이어싱, 1 NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA, 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V, 12V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz, 320MHz | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | EMT6 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EMF8T2R | |
| 관련 링크 | EMF8, EMF8T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | LDM2G181MERZGA | 180µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | LDM2G181MERZGA.pdf | |
![]() | VJ1206A750JBGAT4X | 75pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A750JBGAT4X.pdf | |
![]() | CRCW1206357KFKEAHP | RES SMD 357K OHM 1% 1/2W 1206 | CRCW1206357KFKEAHP.pdf | |
![]() | ZT202LEET | ZT202LEET ORIGINAL 16 WSOIC | ZT202LEET.pdf | |
![]() | VJ1210Y223KXBAT64 | VJ1210Y223KXBAT64 VISHAY SMD | VJ1210Y223KXBAT64.pdf | |
![]() | LD023A120FAB2A | LD023A120FAB2A AVX SMD | LD023A120FAB2A.pdf | |
![]() | LFA0805P101P3 | LFA0805P101P3 INPAQ SMD | LFA0805P101P3.pdf | |
![]() | MAX400EJA | MAX400EJA MAXIM SMD or Through Hole | MAX400EJA.pdf | |
![]() | RMPA-1610-63 | RMPA-1610-63 Raytheon SOP24 | RMPA-1610-63.pdf | |
![]() | G5BBZ | G5BBZ ST TSSOP10 | G5BBZ.pdf | |
![]() | CA3162E | CA3162E ORIGINAL DIP | CA3162E .pdf | |
![]() | MAZ8033-M | MAZ8033-M PANASONIC SOD323 | MAZ8033-M.pdf |