창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EMD62T2R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EMD62 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
전력 - 최대 | 150mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | EMT6 | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | EMD62T2RTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EMD62T2R | |
관련 링크 | EMD6, EMD62T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
VJ2220A122JBCAT4X | 1200pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220A122JBCAT4X.pdf | ||
SZBZX84B4V7LT1G | DIODE ZENER 4.7V 250MW SOT23-3 | SZBZX84B4V7LT1G.pdf | ||
KTR10EZPF3400 | RES SMD 340 OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF3400.pdf | ||
7200100AGC | 7200100AGC NEC QFP | 7200100AGC.pdf | ||
0402 4.7K J | 0402 4.7K J TASUND SMD or Through Hole | 0402 4.7K J.pdf | ||
RUS100MFD63V | RUS100MFD63V DAEWO SMD or Through Hole | RUS100MFD63V.pdf | ||
RZ03-1C3-D024 | RZ03-1C3-D024 TYCO SMD or Through Hole | RZ03-1C3-D024.pdf | ||
LL-S150WC-W2-1C | LL-S150WC-W2-1C ORIGINAL SMD or Through Hole | LL-S150WC-W2-1C.pdf | ||
TPSD157K016R015 | TPSD157K016R015 AVX SMD | TPSD157K016R015.pdf | ||
UF07D | UF07D H SOD-123FL | UF07D.pdf | ||
GTL2007PW/G | GTL2007PW/G NXPSemiconductorsPhilipsElectronics SMD or Through Hole | GTL2007PW/G.pdf |