홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » EMB6T2R

Rohm Semiconductor EMB6T2R

EMB6T2R
제조업체 부품 번호
EMB6T2R
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
데이터 시트 다운로드
다운로드
EMB6T2R 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 79.83925
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 EMB6T2R 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. EMB6T2R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. EMB6T2R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
EMB6T2R 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
EMB6T2R 매개 변수
내부 부품 번호EIS-EMB6T2R
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서EMB6, UMB6N
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
트랜지스터 유형2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)30mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)47k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대150mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지EMT6
표준 포장 8,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)EMB6T2R
관련 링크EMB6, EMB6T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
EMB6T2R 의 관련 제품
1.6pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D1R6CXBAP.pdf
RES SMD 15.4 OHM 1% 1/2W 2010 RT2010FKE0715R4L.pdf
RES 10K OHM 1/2W 5% AXIAL OL1035E-R52.pdf
OPTICAL ENCODER 62S30-L4-060C.pdf
RF2318TR13 RF SOP8 RF2318TR13.pdf
74HC14PWR TI SMD or Through Hole 74HC14PWR.pdf
2SC5471 TOSHIBA TO-92 2SC5471.pdf
JS29F16B08CCME1 INTEL SMD or Through Hole JS29F16B08CCME1.pdf
3DD64F CHINA SMD or Through Hole 3DD64F.pdf
21562300940 RenesasTechnology SMD or Through Hole 21562300940.pdf
S5T0080A01-D1B0 SAMSUNG SMD or Through Hole S5T0080A01-D1B0.pdf
HS0038A2M VISHAY DIP3 HS0038A2M.pdf