창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EMA3T2R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EMA3, UMA3N, FMA3A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(에미터 결합) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
전력 - 최대 | 150mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD(5리드), 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | EMT5 | |
표준 포장 | 8,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EMA3T2R | |
관련 링크 | EMA3, EMA3T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
S1210R-151G | 150nH Shielded Inductor 979mA 200 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | S1210R-151G.pdf | ||
RT1210DRD071K96L | RES SMD 1.96K OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD071K96L.pdf | ||
AFITAC | AFITAC TI TSSOP | AFITAC.pdf | ||
68HC68W2 | 68HC68W2 INTERSIL/HARRIS DIP8 | 68HC68W2.pdf | ||
TS80C188EB2O | TS80C188EB2O INTEL QFP | TS80C188EB2O.pdf | ||
eca1vm332 | eca1vm332 panasonicindustrial SMD or Through Hole | eca1vm332.pdf | ||
ROS-1000V+ | ROS-1000V+ MINI SMD or Through Hole | ROS-1000V+.pdf | ||
UPD77C25C | UPD77C25C NEC DIP-28 | UPD77C25C.pdf | ||
NMC-0603X7R-103J-50TRP | NMC-0603X7R-103J-50TRP NIC SMD | NMC-0603X7R-103J-50TRP.pdf | ||
OPA333DCKR | OPA333DCKR TI SC70-5 | OPA333DCKR.pdf | ||
FW21154AD | FW21154AD INTEL BGA | FW21154AD.pdf | ||
D4361K45 | D4361K45 NEC SMD or Through Hole | D4361K45.pdf |