홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 어레이 » EM6M2T2R

Rohm Semiconductor EM6M2T2R

EM6M2T2R
제조업체 부품 번호
EM6M2T2R
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
데이터 시트 다운로드
다운로드
EM6M2T2R 가격 및 조달

가능 수량

96550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 148.26240
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 EM6M2T2R 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. EM6M2T2R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. EM6M2T2R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
EM6M2T2R 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
EM6M2T2R 매개 변수
내부 부품 번호EIS-EM6M2T2R
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서EM6M2
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형N 및 P-Chan
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C200mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs1옴 @ 200mA, 4V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds25pF @ 10V
전력 - 최대150mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지EMT6
표준 포장 8,000
다른 이름EM6M2T2R-ND
EM6M2T2RTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)EM6M2T2R
관련 링크EM6M, EM6M2T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
EM6M2T2R 의 관련 제품
470µH Shielded Wirewound Inductor 730mA 1.08 Ohm Max Nonstandard IDCS7328ER471M.pdf
NC RELAY SOCKET NC2-WS.pdf
RES SMD 1.6M OHM 1% 3/4W 2010 AA2010FK-071M6L.pdf
X84129S14M-T1 XICOR SOP16 X84129S14M-T1.pdf
TT60236A1-ATSL MT QFP TT60236A1-ATSL.pdf
TEA5767HN/V3DA-302 PHI SMD or Through Hole TEA5767HN/V3DA-302.pdf
2SB1386L/B1386L UTC SOT-89 2SB1386L/B1386L.pdf
CFL4-A7BP-311.04 CARDINAL SMD or Through Hole CFL4-A7BP-311.04.pdf
KDV368F KEC SOD723 KDV368F.pdf
PIC16LF873A-1/SS MICROCHI SOP PIC16LF873A-1/SS.pdf
NNCD6.8G-T1 (6.8V) NEC SOT-153 NNCD6.8G-T1 (6.8V).pdf