창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EM6K33T2R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EM6K33 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.2V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2옴 @ 200mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 25pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | EMT6 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EM6K33T2R | |
| 관련 링크 | EM6K3, EM6K33T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | E3T-SR22 2M | SENS OPTO REFL 200MM PREWIRE MOD | E3T-SR22 2M.pdf | |
![]() | EPM9560ABC356-10N | EPM9560ABC356-10N ALTERA BGA | EPM9560ABC356-10N.pdf | |
![]() | 4116R-001-104 | 4116R-001-104 BOURNS SMD or Through Hole | 4116R-001-104.pdf | |
![]() | IPP90N06S4-04 | IPP90N06S4-04 INFINEON TO-220 | IPP90N06S4-04.pdf | |
![]() | IR21084 | IR21084 IR DIP-14 | IR21084.pdf | |
![]() | LSPG670 | LSPG670 ORIGINAL 1210 | LSPG670.pdf | |
![]() | XC3030-10PQ100C | XC3030-10PQ100C XILINX SMD or Through Hole | XC3030-10PQ100C.pdf | |
![]() | MSP430F1121AIPWR PBF | MSP430F1121AIPWR PBF TI SMD or Through Hole | MSP430F1121AIPWR PBF.pdf | |
![]() | AAL1995V1.18 | AAL1995V1.18 ORIGINAL DIP28 | AAL1995V1.18.pdf | |
![]() | 2ED020I12-F1. | 2ED020I12-F1. INFINEON SOP18 | 2ED020I12-F1..pdf | |
![]() | BAS316/DLT | BAS316/DLT NXPSemiconductors SMD or Through Hole | BAS316/DLT.pdf | |
![]() | GN4077 64B | GN4077 64B GENNUM QFN | GN4077 64B.pdf |