창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EM6K33T2R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EM6K33 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.2V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2옴 @ 200mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 25pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | EMT6 | |
표준 포장 | 8,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EM6K33T2R | |
관련 링크 | EM6K3, EM6K33T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 416F40013IAR | 40MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40013IAR.pdf | |
![]() | CRCW12101M30JNTA | RES SMD 1.3M OHM 5% 1/2W 1210 | CRCW12101M30JNTA.pdf | |
![]() | RD11FS | RD11FS RENESAS SOD-123F | RD11FS.pdf | |
![]() | LA769661F-E | LA769661F-E SANYO DIP | LA769661F-E.pdf | |
![]() | 8692-V2.2 | 8692-V2.2 ORIGINAL PLCC | 8692-V2.2.pdf | |
![]() | M1641 | M1641 ALI TO-220 | M1641.pdf | |
![]() | M5M4C500AVP | M5M4C500AVP MEMORY SMD | M5M4C500AVP.pdf | |
![]() | 216QP4DBA12PH | 216QP4DBA12PH ATI BGA | 216QP4DBA12PH.pdf | |
![]() | SMBJ22DO214AA | SMBJ22DO214AA GENERALSEMI SMD or Through Hole | SMBJ22DO214AA.pdf | |
![]() | GTH2012-1R0G | GTH2012-1R0G ORIGINAL SMD or Through Hole | GTH2012-1R0G.pdf | |
![]() | BCM53300AOKFEBG | BCM53300AOKFEBG BROADCOM SMD or Through Hole | BCM53300AOKFEBG.pdf | |
![]() | BLM21B102SPTM0 | BLM21B102SPTM0 MURATA SMD or Through Hole | BLM21B102SPTM0.pdf |