- EI649US
- 제조업체 부품 번호
- EI649US
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 반도체 - 3
- 간단한 설명
- EI649US ORIGINAL DIP
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
EI649US 가격 및 조달
가능 수량
32000 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 EI649US 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. EI649US 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. EI649US가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- EI649US 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
EI649US 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-EI649US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | EI649US | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | EI649US | |
| 관련 링크 | EI64, EI649US 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
EI649US 의 관련 제품
 | VJ2225Y223JBFAT4X | 0.022µF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225Y223JBFAT4X.pdf | |
 | SMBJ8.0CAHE3/52 | TVS DIODE 8VWM 13.6VC SMB | SMBJ8.0CAHE3/52.pdf | |
 | STP33N60M2 | MOSFET N-CH 600V 26A TO220 | STP33N60M2.pdf | |
| DB-9S | DB-9S MAP SMD or Through Hole | DB-9S.pdf | |
| D27F256-200P2C2 | D27F256-200P2C2 INTEL CDIP28 | D27F256-200P2C2.pdf | |
| LM3812C07 | LM3812C07 NSC SO-8 | LM3812C07.pdf | |
| TG231505NZTR | TG231505NZTR HALO SMD or Through Hole | TG231505NZTR.pdf | |
| ATC100A820GW150XT | ATC100A820GW150XT AMERICANTECHNICALCERAMICS SMD or Through Hole | ATC100A820GW150XT.pdf | |
| 74780-0002 | 74780-0002 MOLEX SMD or Through Hole | 74780-0002.pdf | |
| 7732-01 | 7732-01 OKI QFP | 7732-01.pdf | |
| TC4021BP(N，F) | TC4021BP(N，F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TC4021BP(N，F).pdf | |
| AM29LV800BB-90R | AM29LV800BB-90R AMD SMD or Through Hole | AM29LV800BB-90R.pdf |