- EFCH835ME2S2 835MHZ

EFCH835ME2S2 835MHZ
제조업체 부품 번호
EFCH835ME2S2 835MHZ
제조업 자
-
제품 카테고리
반도체 - 3
간단한 설명
EFCH835ME2S2 835MHZ PANASONIC SMD or Through Hole
데이터 시트 다운로드
다운로드
EFCH835ME2S2 835MHZ 가격 및 조달

가능 수량

50420 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 EFCH835ME2S2 835MHZ 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. EFCH835ME2S2 835MHZ 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. EFCH835ME2S2 835MHZ가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
EFCH835ME2S2 835MHZ 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
EFCH835ME2S2 835MHZ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-EFCH835ME2S2 835MHZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
시리즈EFCH835ME2S2 835MHZ
EDA/CAD 모델-
종류전자 부품
공차-
풍모-
작동 온도-
정격 전압-
정격 전류-
최종 제품-
포장 종류SMD or Through Hole
무게0.001 KG
대체 부품 (교체) EFCH835ME2S2 835MHZ
관련 링크EFCH835ME2S, EFCH835ME2S2 835MHZ 데이터 시트, - 에이전트 유통
EFCH835ME2S2 835MHZ 의 관련 제품
270pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) VJ1812A271KBAAT4X.pdf
Infrared (IR) Emitter 880nm 1.5V 100mA 65mW/sr @ 100mA 24° Radial VTE1291-2H.pdf
1.2µH Shielded Multilayer Inductor 35mA 790 mOhm Max 0402 (1005 Metric) MLF1005L1R2K.pdf
5.6mH Unshielded Wirewound Inductor 110mA 26.8 Ohm Max Radial HM17-855562LF.pdf
MC14000BCL MOT CDIP MC14000BCL.pdf
74S04-TI TI DIP 74S04-TI.pdf
XCV1600E-6FG680C XILINX BGA XCV1600E-6FG680C.pdf
ST2R018BRA US SMD or Through Hole ST2R018BRA.pdf
CM75MXA-24S300G ORIGINAL SMD or Through Hole CM75MXA-24S300G.pdf
F54F157A FSC CDIP F54F157A.pdf
0472020002/ MOLEX SMD or Through Hole 0472020002/.pdf
CN3120-500BG868-G CAVIUM BGA CN3120-500BG868-G.pdf