창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EFC6604R-TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EFC6604R | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-XFBGA | |
| 공급 장치 패키지 | 6-EFCP(1.9x1.46) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EFC6604R-TR | |
| 관련 링크 | EFC660, EFC6604R-TR 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | F102K39Y5RN6UJ5R | 1000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) | F102K39Y5RN6UJ5R.pdf | |
![]() | RCH108NP-180M | 18µH Unshielded Inductor 3.4A 49 mOhm Max Radial | RCH108NP-180M.pdf | |
![]() | 9004321-001 | 9004321-001 F CDIP | 9004321-001.pdf | |
![]() | GMC10X7R103K50 | GMC10X7R103K50 CALCHIP REEL | GMC10X7R103K50.pdf | |
![]() | SSTA | SSTA EIC SMB | SSTA.pdf | |
![]() | XRP7603 | XRP7603 EXAR SOIC-8 | XRP7603.pdf | |
![]() | G8P50G | G8P50G HARRIS TO-252 | G8P50G.pdf | |
![]() | TD92N1400KOF | TD92N1400KOF AEG MODULE | TD92N1400KOF.pdf | |
![]() | BAT16-800CW | BAT16-800CW ST TO-220 | BAT16-800CW.pdf | |
![]() | HFD2-024-M-L2 | HFD2-024-M-L2 ORIGINAL DIP-SOP | HFD2-024-M-L2.pdf | |
![]() | 3360C-1-103 | 3360C-1-103 bourns DIP | 3360C-1-103.pdf | |
![]() | 1206N150J500LT | 1206N150J500LT WALSIN SMD | 1206N150J500LT.pdf |