창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EFC6601R-A-TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 공통 드레인 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-XFBGA | |
| 공급 장치 패키지 | 6-EFCP(2.7x1.81) | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EFC6601R-A-TR | |
| 관련 링크 | EFC6601, EFC6601R-A-TR 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RT0603CRE076K81L | RES SMD 6.81K OHM 1/10W 0603 | RT0603CRE076K81L.pdf | |
![]() | AF2010JK-0747KL | RES SMD 47K OHM 5% 3/4W 2010 | AF2010JK-0747KL.pdf | |
![]() | 898-1-R470K | 898-1-R470K BI SMD or Through Hole | 898-1-R470K.pdf | |
![]() | M4A3-32-7VNC48 | M4A3-32-7VNC48 LATTICE QFP48 | M4A3-32-7VNC48.pdf | |
![]() | OQ= | OQ= RICHTEK SMD or Through Hole | OQ=.pdf | |
![]() | LA193B/HRFSBKS-2-PF | LA193B/HRFSBKS-2-PF LIGITEK ROHS | LA193B/HRFSBKS-2-PF.pdf | |
![]() | BA10339A | BA10339A ROHM DIP | BA10339A.pdf | |
![]() | CL10A105MO8NQNC | CL10A105MO8NQNC SAMSUNG SMD | CL10A105MO8NQNC.pdf | |
![]() | SST27SF512-70-3C-PGE/PHE | SST27SF512-70-3C-PGE/PHE SST DIP | SST27SF512-70-3C-PGE/PHE.pdf | |
![]() | DSF0.3B | DSF0.3B MDD SOD-123FL | DSF0.3B.pdf | |
![]() | ADG431TQ | ADG431TQ AD/PMI CDIP16 | ADG431TQ.pdf | |
![]() | QPWL-BE55T | QPWL-BE55T AGILINT SMD or Through Hole | QPWL-BE55T.pdf |